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可控硅,mosfet,相位控制整流器發熱對比說明

放大字體  縮小字體 發布日期:2021-07-23  來源:瑞安市超強電子科技有限公司  瀏覽次數:1725
核心提示:直接上結論是mosfet 比可控硅發熱降低60%,相位控制比mosfet發熱降低88.9%,比可控硅發熱降低95.5%,需要大致理解為什么發熱會降
直接上結論是mosfet 比可控硅發熱降低60%,相位控制比mosfet發熱降低88.9%,比可控硅發熱降低95.5%,需要大致理解為什么發熱會降低的騎友繼續往下看。

假設充電電流20A,數據計算采用理論值,實際功率管會隨著溫度等變化,會有一些誤差,主要講解為什么發熱量相差這么大。

1. 可控硅整流器(短路式)發熱量

可控硅壓降一般在1.1V-1.4V,二極管壓降0.7v

發熱功耗=(1.1V+0.7V)*20A=36W

Ps.國內基本上都是用220封裝的可控硅,因為再大的尺寸比如TO-3P封裝一般鋁殼是放不下的,而要做40A的整流器的話,可控硅要進口的,價格是普通的153可控硅(16A)貴6-8倍,一般工廠肯定不會采用的,一般工廠可控硅用到20A算還可以了。

圖片1 

 

2. MOS+肖特基二極管發熱量

我們用的肖特基一般壓降在0.6-0.7V,mosfet內阻一般4毫歐-7毫歐

發熱功耗=0.6V*20A+0.006Ω*20A*20A=14.4w,比硅整流降低了60%的發熱量。所以一般用MOS的整流器比可控硅溫度低很多(短路式)。

Ps.其他很多工廠是用硅粒二極管,恢復慢,發熱會更大

圖片2 

3. 相位控制發熱量

我們采用的MOS 一般是低內阻3.5mΩ到4mΩ,

發熱功率會是0.004Ω*20A*20A*2=1.6w,比mosfet整流器降低了88.9%發熱量,比可控硅整流器降低了95.5%,基本上高負載下,外殼是不會燙手的,mosfet長時間還是會略燙手,可控硅的基本不能碰,因為溫度會100以上。

圖片3 

小結:

一些騎友會喜歡加一些射燈等負載上去,有時候發電量會不夠用,會想增加磁電機的發電量,其實也可以改用相位控制或者mosfet的整流器,因為像原裝以前挺多是用可控硅做的話,發熱量36w的情況下,那么等于磁電機輸出功率比較多的部分被消耗在發熱上,導致電源效率低下,帶不動外面的負載。而改用相位控制的話,只有1.6w浪費在發熱上,可以輸出更多的功率給電瓶,大燈等負載。

 
 
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